دیتاشیت SI4953DY-T1-E3-VB

SI4953DY-T1-E3-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4953DY-T1-E3-VB
حجم فایل 73.9 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت SI4953DY-T1-E3-VB

SI4953DY-T1-E3-VB Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec SI4953DY-T1-E3-VB
  • Power Dissipation (Pd): 5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 7.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V,6.3A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: VBsemi Elec

دیتاشیت محصولات مشابه